Модули IGBT SolidPower

SiC MOSFET модуль 1200В

SiC MOSFET модуль 1200В: 62х152х17мм, полумост на MOSFET транзисторах, технология кристалла SiC MOSFET, Vces/Vrrm=1200В, Id(nom)=300/120А, Rds(sat)=5мОм, Vsd=1,7В

IGBT модули 1200В EconoPACK

IGBT модули 1200В EconoPACK2/3: трехфазный мост, 1200В, 50А/75А/100А/150А/200А, 45х107х17мм, Vct(sat)=1,8В.

IGBT модули 1200В EconoPIM

IGBT модули 1200В EconoPIM - 45 х 107 х 17 и 62 х 122 х 17 мм, трёхфазный выпрямитель, IGBT мост, чоппер, 1200В, 25А/35А/50А/75А/100А/150А

IGBT модули 1700В EconoDUAL 3

IGBT модуль, полумост, EconoDUAL 3, 1700В, 450А/600, низкое быстродействие, 62х152х17мм.

IGBT модули 1700В 34 и 62мм

IGBT модули 1700В 34 и 62 мм: 34 х 94 х 31 мм и 62 х 107 х 31 мм, полумост, 34мм/62мм, 1700В,75А/100А/150А/200А/300А, low loss, низкое быстродействие.

IGBT модули 1200В EconoDUAL 3

IGBT модуль EconoDUAL 3: полумост,1200В, 900А/600А/450А, среднее быстродействие, 62х152х17мм, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=900А, Vct(sat)=1,75В, быстродействие 8-12кГц

SPS50B12G3 IGBT модуль, полумост, 34мм, 1200В, 50А, быстродействующий

SPS50B12G3 Корпус 34х94х31мм, полумост, технология кристалла IGBT Planar-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=50А, Vct(sat)=2,5В, быстродействие 12-25кГц. Применение:сварка, индукционный нагрев,силовые схемы с быстрым переключением