IGBT модули 1700В 34 и 62мм

IGBT модули 1700В 34 и 62мм от Solidpower купить в ЕвроМобайл
IGBT модули 1700В 34 и 62мм от Solidpower купить в ЕвроМобайл
IGBT модули 1700В 34 и 62мм от Solidpower купить в ЕвроМобайл
IGBT модули 1700В 34 и 62мм от Solidpower по выгодной цене
IGBT модули 1700В 34 и 62мм от Solidpower по выгодной цене
IGBT модули 1700В 34 и 62мм от Solidpower по выгодной цене
IGBT модули 1700В 34 и 62мм - изображение
IGBT модули 1700В 34 и 62мм - изображение 2

Производитель: Solidpower

IGBT модули 1700В 34 и 62 мм - серия представлена шестью моделями в двух форм-факторах: 34 х 94 х 31 мм и 62 х 107 х 31 мм. 

IGBT модули: полумост, 34мм/62мм, 1700В, 75А/100А/150А/200А/300А, low loss, низкое быстродействие.

Применение: промышленные высоковольтные приводы, ИБП, источники питания. 

SPS75B17G3 IGBT модуль, полумост, 34мм, 1700В, 75А, low loss, низкое быстродействие Корпус: 34х94х31мм, полумост, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=75А, Vct(sat)=1,95В, быстродействие 1-8кГц
SPS100B17G3 IGBT модуль, полумост, 34мм, 1700В, 100А, low loss, низкое быстродействие Корпус: 34х94х31мм, полумост, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=100А, Vct(sat)=1,95В, быстродействие 1-8кГц
SPS150B17G3 IGBT модуль, полумост, 34мм, 1700В, 150А, low loss, низкое быстродействие Корпус: 34х94х31мм, полумост, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=150А, Vct(sat)=1,95В, быстродействие 1-8кГц
SPS150B17G6 IGBT модуль, полумост, 62мм, 1700В, 150А, low loss, низкое быстродействие Корпус: 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=150А, Vct(sat)=1,95В, быстродействие 1-8кГц
SPS200B17G6 IGBT модуль, полумост, 62мм, 1700В, 200А, low loss, низкое быстродействие Корпус: 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=200А, Vct(sat)=1,95В, быстродействие 1-8кГц
SPS300B17G6 IGBT модуль, полумост, 62мм, 1700В, 300А, low loss, низкое быстродействие Корпус: 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=300А, Vct(sat)=1,95В, быстродействие 1-8кГц
Insulated-gate bipolar transistor, IGBT — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий в одной полупроводниковой структуре два транзистора: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления).

IGBT модуль, полумост, 34мм/62мм, 1700В, 75А/100А/150А/200А/300А, low loss, низкое быстродействие 1-8кГц, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=75А, Vct(sat)=1,95В.

Применение: промышленные высоковольтные приводы, ИБП, источники питания
/