Модули IGBT

Insulated-gate bipolar transistor, IGBT — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий в одной полупроводниковой структуре два транзистора: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Применяется, преимущественно, в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, системах управления электрическими приводами, а также инверторах.