Силовая электроника

Микросхема для измерения энергии CS5480SG-INZ

Трехканальные микросхемы для энергомониторинга CS5480SG-INZ. В наличии остались последние 1200 штук и больше пополнения не будет, так как модуль снят с производства.

IGBT модули 1700В PrimePACK

Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 1500
Тип конфигурации: IGBT4

IGBT модули 1200В PrimePACK

Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 1500
Технология кристалла: IGBT4

IGBT модули 1700В ECPACK3

Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 100
Технология кристалла: IGBT4

IGBT модули 1200В ECPACK2

Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 200
Технология кристалла: IGBT3 и IGBT4

IGBT модули 1200В ECPIM 3

Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 100
Технология кристалла: IGBT3 и IGBT4

IGBT модули 1700В ECDUAL3 полумост

Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 600
Тип конфигурации: полумост, технология кристалла

IGBT модули 1200В ECDUAL3 полумост

Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 600
Тип конфигурации: полумост, технология кристалла

IGBT модули 1200В 62мм тип корпуса B

Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 450
Тип конфигурации: полумост, технология кристалла

IGBT модули 1200В 62мм тип корпуса А

Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 600
Тип конфигурации: IGBT4

Предохранители YRSA1-PK 1250В

Быстродействующие предохранители в прямоугольном корпусе c Flush контактной поверхностью (безвыводный контакт по плоскости) для защиты силовых полупроводниковых ключей, 1250В АС/900В DC , 50-700А.

Предохранители YRSA3-PK 690В

Быстродействующие предохранители в прямоугольных корпусах c Flush контактной поверхностью (безвыводный контакт по плоскости) для защиты силовых полупроводниковых ключей, 690(IEC)/700(UL) В АС, 500-2000 А.