SiC MOSFET модуль 1200В

Производитель: Solidpower

Серия модулей SiC MOSFET 1200В состоит из двух моделей: SPSV120B12G6 и SPSV300B12G6. 

Сфера применения: источники питания с высокой частотой преобразования.

SPSV120B12G6 MOSFET модуль 62мм на кристаллах SiC, 1200В,120А Корпус: 62х152х17мм, полумост на MOSFET транзисторах, технология кристалла SiC MOSFET, Vces/Vrrm=1200В, Id(nom)=120А, Rds(sat)=13мОм, Vsd=1,5В
SPSV300B12G6 MOSFET модуль 62мм на кристаллах SiC, 1200В, 300А Корпус: 62х152х17мм, полумост на MOSFET транзисторах, технология кристалла SiC MOSFET, Vces/Vrrm=1200В, Id(nom)=300А, Rds(sat)=5мОм, Vsd=1,7В
Insulated-gate bipolar transistor, IGBT — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор.

Серия MOSFET представлена двумя моделями: SPSV120B12G6 и SPSV300B12G6, выполнены в форм-факторе 62 х 152 х 17 мм, система на кристаллах SiC, 1200В,120А или 1200В, 300А.

Габариты, мм
62 х 152 х 17
/