IGBT модули 1200В 62мм тип корпуса А
Производитель: Beiyi Semiconductor Technology
Полностью отечественный IGBT модуль, разработанный на базе кристаллов собственного производства. Конфигурация модуля – полумостовая. Используемая технология изготовления IGBT кристаллов – NPT+ (Non Punch Through), обеспечивает время сопротивления короткому замыканию до 40 мкс, что в четыре раза превышает показатели импортных аналогов. Это существенно повышает надежность функциональности и продлевает срок службы изделий.| Артикул | Наименование | Описание |
| LWG400H12E4L | IGBT модуль, полумост, 62мм A, 1200В, 400А | Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=400А, низкие статические потери, Vce(sat)=1, 7В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы |
| LWG600H12E4L | IGBT модуль, полумост, 62мм A, 1200В, 600А | Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=600А, низкие статические потери, Vce(sat)=1, 7В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы |
Полностью отечественный IGBT модуль, разработанный на базе кристаллов собственного производства. Конфигурация модуля – полумостовая. Используемая технология изготовления IGBT кристаллов – NPT+ (Non Punch Through), обеспечивает время сопротивления короткому замыканию до 40 мкс, что в четыре раза превышает показатели импортных аналогов. Это существенно повышает надежность функциональности и продлевает срок службы изделий.
Области применения данного модуля включают: устройства плавного пуска, частотные преобразователи, зарядные станции для электрического транспорта, электроприводы моторов лифтов, насосные станции, промышленные сварочные аппараты, а также инверторы для солнечной и ветряной энергетики.
Также доступна широкая линейка модулей с номинальными напряжениями 1200В, 1700В, включая высоковольтные решения. Данные модули полностью соответствуют программе импортозамещения.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип корпуса | А |
| Размеры корпуса | 62 x 107 x 31 мм |
| Напряжение (Vces/Vrrm) | 1200 В |
| Номинальный ток (Ic(nom)) | 400 А |
| Максимальный ток | 600 А |
| Статические потери | Низкие |
| Напряжение на коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | 1,7 В |
| Изоляционное напряжение (Uизол) | 4000 В |
| Технология кристалла | IGBT4 Trench-FS |
| Применение | Сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы |
- Напряжение питания, В
- 1200
- Габариты, мм
- 62х107х31
- Тип корпуса
- А
