
IGBT модули 1200В 62мм тип корпуса B
Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 450
Тип конфигурации: полумост, технология кристалла
Компания «ЕМ Групп» осуществляет комплексные поставки компонентов силовой электроники ведущих мировых производителей для широкого круга применения. Для всех силовых компонентов, представленных в нашем каталоге, доступна полная техническая документация, сертификаты качества и соответствия.

IGBT модули 1200В 62мм тип корпуса B
Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 450
Тип конфигурации: полумост, технология кристалла

IGBT модули 1200В 62мм тип корпуса А
Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 600
Тип конфигурации: IGBT4

Предохранители YRSA1-PK 1250В
Быстродействующие предохранители в прямоугольном корпусе c Flush контактной поверхностью (безвыводный контакт по плоскости) для защиты силовых полупроводниковых ключей, 1250В АС/900В DC , 50-700А.

Предохранители YRSA3-PK 690В
Быстродействующие предохранители в прямоугольных корпусах c Flush контактной поверхностью (безвыводный контакт по плоскости) для защиты силовых полупроводниковых ключей, 690(IEC)/700(UL) В АС, 500-2000 А.

Предохранители YRSA1-GK 1250В
Быстродействующие предохранители в прямоугольных корпусах с ножевыми выводами стандарта DIN для защиты силовых полупроводниковых ключей,1250В АС/1000В DC

Предохранители HRC NH000
Низковольтные предохранители 690В с высокой разрывающей способностью (HRC) в прямоугольном корпусе, типоразмера NH000

Предохранители HRC NH00
Низковольтные предохранители 690В с высокой разрывающей способностью (HRC) в прямоугольном корпусе, типоразмера NH00

Предохранители HRC NH1
Низковольтные предохранители 690В с высокой разрывающей способностью (HRC) в прямоугольном корпусе, типоразмера NH1

Предохранители HRC NH2
Низковольтные предохранители 690В с высокой разрывающей способностью (HRC) в прямоугольном корпусе, типоразмера NH2

Предохранители HRC NH3
Низковольтные предохранители 690В с высокой разрывающей способностью (HRC) в прямоугольном корпусе, типоразмера NH3

SiC MOSFET модули:1200В,1700В/120…400А
MOSFET модули на карбиде кремния (SiC): рабочие напряжения Usd=1200В,1700В. Токи стока 120…400А

MOSFET модули 100В,150В, 500В/80….2000А
MOSFET модули: Рабочие напряжения Usd=100В,150В, 500В, токи стока 80….2000А