
SiC MOSFET модули:1200В,1700В/120…400А
MOSFET модули на карбиде кремния (SiC): рабочие напряжения Usd=1200В,1700В. Токи стока 120…400А
Разделы
Array ( [FOLDER] => /produkciya/ [URL_TEMPLATES] => Array ( [sections] => [section] => #SECTION_CODE#/ [element] => #SECTION_CODE#/#ELEMENT_CODE#/ [compare] => compare/ [smart_filter] => #SECTION_CODE#/filter/#SMART_FILTER_PATH#/apply/ ) [VARIABLES] => Array ( [SECTION_CODE] => moduli-igbt-starpower ) [ALIASES] => Array ( ) )
MOSFET модули на карбиде кремния (SiC): рабочие напряжения Usd=1200В,1700В. Токи стока 120…400А
MOSFET модули: Рабочие напряжения Usd=100В,150В, 500В, токи стока 80….2000А
IGBT модули большой мощности: Рабочие напряжения Uce-=1200В,1700В, 3300В. Токи коллектора 450….3600А
IGBT модули средней мощности: рабочие напряжения Uce-=650 В,1200 В, 1700 В. Токи коллектора 50….600 А.
IGBT модули малой мощности: рабочие напряжения Uce-=650 В, 1200 В, 1700 В. Токи коллектора: 10….200А