SiC MOSFET модули:1200В,1700В/120…400А
MOSFET модули на карбиде кремния (SiC): рабочие напряжения Usd=1200В,1700В. Токи стока 120…400А
ЦенаПо запросу
Разделы
StarPower
MOSFET модули 100В,150В, 500В/80….2000А
MOSFET модули: Рабочие напряжения Usd=100В,150В, 500В, токи стока 80….2000А
ЦенаПо запросу
IGBT модули большой мощности
IGBT модули большой мощности: Рабочие напряжения Uce-=1200В,1700В, 3300В. Токи коллектора 450….3600А
ЦенаПо запросу
IGBT модули средней мощности
IGBT модули средней мощности: рабочие напряжения Uce-=650 В,1200 В, 1700 В. Токи коллектора 50….600 А.
ЦенаПо запросу
IGBT модули малой мощности
IGBT модули малой мощности: рабочие напряжения Uce-=650 В, 1200 В, 1700 В. Токи коллектора: 10….200А
ЦенаПо запросу
