
Микросхема для измерения энергии CS5480SG-INZ
Трехканальные микросхемы для энергомониторинга CS5480SG-INZ. В наличии остались последние 1200 штук и больше пополнения не будет, так как модуль снят с производства.
Компания «ЕМ Групп» осуществляет комплексные поставки компонентов силовой электроники ведущих мировых производителей для широкого круга применения. Для всех силовых компонентов, представленных в нашем каталоге, доступна полная техническая документация, сертификаты качества и соответствия.

Трехканальные микросхемы для энергомониторинга CS5480SG-INZ. В наличии остались последние 1200 штук и больше пополнения не будет, так как модуль снят с производства.





Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 1500
Тип конфигурации: IGBT4

Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 1500
Технология кристалла: IGBT4

Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 100
Технология кристалла: IGBT4

Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 200
Технология кристалла: IGBT3 и IGBT4

Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 100
Технология кристалла: IGBT3 и IGBT4

Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 600
Тип конфигурации: полумост, технология кристалла

Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 600
Тип конфигурации: полумост, технология кристалла