
Микросхема для измерения энергии CS5480SG-INZ
Трехканальные микросхемы для энергомониторинга CS5480SG-INZ. В наличии остались последние 1200 штук и больше пополнения не будет, так как модуль снят с производства.
Компания «ЕМ Групп» осуществляет комплексные поставки компонентов силовой электроники ведущих мировых производителей для широкого круга применения. Для всех силовых компонентов, представленных в нашем каталоге, доступна полная техническая документация, сертификаты качества и соответствия.

Микросхема для измерения энергии CS5480SG-INZ
Трехканальные микросхемы для энергомониторинга CS5480SG-INZ. В наличии остались последние 1200 штук и больше пополнения не будет, так как модуль снят с производства.

WEC3R0505QG, ионистор, VINATECH, 3.0 В, 5 Ф, 10x20 мм с радиальными выводами

WEC3R0106QG , ионистор, VINATECH, 3.0 В, 10 Ф, 10x30 мм с радиальными выводами

WEC3R0106QA, ионистор, VINATECH, 3.0 В, 10 Ф, 10x25 мм с радиальными выводами

WEC3R0506QG, ионистор, VINATECH, 3.0 В, 50 Ф, 18x40 мм с радиальными выводами

IGBT модули 1700В PrimePACK
Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 1500
Тип конфигурации: IGBT4

IGBT модули 1200В PrimePACK
Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 1500
Технология кристалла: IGBT4

IGBT модули 1700В ECPACK3
Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 100
Технология кристалла: IGBT4

IGBT модули 1200В ECPACK2
Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 200
Технология кристалла: IGBT3 и IGBT4

IGBT модули 1200В ECPIM 3
Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 100
Технология кристалла: IGBT3 и IGBT4

IGBT модули 1700В ECDUAL3 полумост
Max допустимое напряжение, В: 1700
Max допустимый ток, А: 600
Тип конфигурации: полумост, технология кристалла

IGBT модули 1200В ECDUAL3 полумост
Max допустимое напряжение, В: 1200
Max допустимый ток, А: 600
Тип конфигурации: полумост, технология кристалла